需要注意的是，物联网渗物联网网机器学习的范围非常庞大，有些算法很难明确归类到某一类。

电力（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。（b）五个典型弹道2DInSeFET的跨导比较，何玩一个10nm节点硅FinFET（英特尔，黑色实线）和一个InGaAsFinFET。

长期从事碳基电子学领域的研究，转智做出一系列基础性和开拓性贡献。从事二维电子器件的极限性能的探索与器件物理研究，物联网渗物联网网致力于开发超越硅基极限的后摩尔新型电子技术。四次担任国家973计划、电力重大科学研究计划和重点研发计划项目首席科学家。

02、何玩成果掠影在此，何玩北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队设计报道了一种以高热速度的2D硒化铟（InSe）作为沟道材料的FET，该FET在0.5V下工作，并实现了6mSμm-1的创纪录的高跨导和83%的饱和区室温弹道比，超过了任何报道的硅FET。2、转智开发了一种钇掺杂诱导相变方法，转智将InSeFET的沟道长度被缩小到10nm，相比于硅基FET的极限，该材料可有效抑制短沟道效应，并且有着更低的亚阈值摆动（SS）以及接触电阻，呈现出非凡的性能表现。

物联网渗物联网网2020年于北京大学信息科学技术学院取得理学博士学位。

（f-h）与硅FET相比，电力该研究的弹道2DInSeFET的VDD、栅极延迟和EDP的缩放趋势。通过查阅世界自然保护联盟（IUCN）制定的《IUCN物种红色名录濒危等级和标准》可以看到，何玩该标准将物种分类为9个级别，何玩根据数目下降速度、物种总数、地理分布、群族分散程度等准则分类。

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